"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства переключающих слоистых структур на основе пленочных фторидов редкоземельных элементов
Рожков В.А.1, Шалимова М.Б.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Представлены результаты исследования эффекта электрического переключения проводимости с памятью в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ. Методами вольт-амперных и вольтъемкостных измерений определены особенности высокоомного и низкоомного состояний структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Показано, что характеристики низкоомного состояния рассматриваемой структуры описываются моделью структуры металл--туннельный диэлектрик--полупроводник.
  1. S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  2. J.R. Bosnell, C.B. Thomas. Sol. St. Electron., 15, 665 (1972)
  3. G.S. Nadkarni, V.S. Shirodrar. Thin Sol. Films, 105, 115 (1983)
  4. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 18, 74 (1992)
  5. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27, 438 (1993)
  6. В.А. Рожков, Н.Н. Романенко. Письма ЖТФ, 19, 6 (1993)
  7. Vassilliki Bredimas. J. Appl. Phys., 75, 7922 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.