Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние немонотонного профиля потенциала на краевые магнитные состояния

Горохов Е.Б.¹, Романов Д.А.¹, Студеникин С.А.¹, Ткаченко В.А.¹, Ткаченко О.А.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследован закон дисперсии электронов, движущихся вдоль зеркально отражающей границы двумерного электронного газа в присутствии приграничной потенциальной ямы и слабого магнитного поля. Численным моделированием найден ряд особенностей в плотности краевых магнитных состояний, которые могут быть обнаружены магнитотранспортными и магнитооптическими измерениями. Обсуждаются способы реализации структур для изучения таких состояний. Продемонстрирована возможность создания кристаллически совершенных межтеррасных границ двумерного электронного газа в результате введения наклонных плоскостей скольжения в гетероструктуры.

R.J. Haung. Semicond. Sci. Technol., 8, 131 (1993)
D.B. Chklovskii, B.I. Shklovskii, L.I. Glazman. Phys. Rev. B, 46, 4026 (1992)
D.B. Chklovskii, K.A. Matveev, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 47, 12 605 (1993)
K. Ismail. In: Nanostructures and Quantum Effects, Springer Series in Material Science, ed. by H. Sakaki, H. Noge (1994) v. 31. p. 61
М.С. Хайкин. УФН, 96, 409 (1968)
Е.М. Скок, С.А. Студенкин, H. Hefele, H. Pascher. Письма ЖЭТФ, 37, 468 (1983) [JETP Letters, 37, 554 (1983)]
В.Т. Долгополов, С.С. Мурзин. Письма ЖЭТФ, 37, (1983) [JETP Letters, 37, 696 (1983)]
D.A. Romanov, L.D. Shvartsman. Sol. St. Commun., 53, 677 (1985)
V.A. Tkachenko, O.A. Tkachenko, G.L. Kotkin, V.G. Tupitsin. Physica B, 175, 75 (1991)
L.I. Magarilli, I.A. Panaev, S.A. Studenikin. J. Phys.: Condens. Matter, 7, 1101 (1995)
E.M. Trukhanov, E.B. Gorokhov, S.I. Stenin. Phys. St. Sol. (a), 32, 432 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель