"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме
Гадияк Г.В.1, Stathis J.2
1Институт вычислительных технологий Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York,, USA
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Предлагается теоретическая модель для описания эволюции Pb-центров на границе раздела Si/SiO2 при отжиге в вакууме. Модель принимает во внимание реакции, происходящие с центрами на границе раздела, диффузию атомарного и молекулярного водорода. Выполнен расчет констант реакций в диффузионном приближении. Результаты расчетов находятся в согласии с экспериментом в диапазоне температур (480o-800oC) и толщин окислов (200-1024 Angstrem) для граней кремния (111) и (100).
  • D.A. Buchanan, D.J. DiMaria, A.D. Marwick, L. Dory. Appl. Phys., 76, 3595 (1994)
  • Г.В. Гадияк. ФТП, 31, 257 (1997)
  • K.L. Brower, S.M. Meyers. Appl. Phys. Lett., 57, 162 (1990)
  • D.L. Griscom. J. Electron. Mater., 21, 763 (1992)
  • J.H. Stathis, E. Cartier. Phys. Rev. Lett., 72, 2745 (1994)
  • E. Cartier, J.H. Stathis. Microelectronic Engineering, 28, 3 (1995)
  • J.H. Stathis. J. Appl. Phys., 77, 6205 (1995) [Erratum: J. Appl. Phys., 78, 5215 (1995)]
  • K.L. Brower. Appl. Phys. Lett., 43, 1111 (1983)
  • P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys., 55, 3495 (1984)
  • E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 52, 879 (1981)
  • G.V. Gadiyak, Yu.N., Morokov, A.A. Karpushin, M. Tomasek. Chechosl. J. Phys. B, 35, 54 (1985)
  • Г.В. Гадияк, А.А. Карпушин, И.В. Короленко, Ю.Н. Мороков, И.Ю. Семенова, А.Н. Сорокин, М. Томашек. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 72 (1986)
  • K.L. Brower. Phys. Rev. B, 42, 3444 (1990)
  • R. Khatri, P. Asoka-Kumar, B. Nielsen, L.O. Ruelling, K.G. Lynn. Appl. Phys. Lett., 65, 330 (1994)
  • D. Fink, J. Krauser, D. Nagengast, T. Almeida Murphy, J. Exmeier, J. Palmetshofer, D. Brauning, A. Weidinger. Appl. Phys. A, 61, 381 (1995)
  • Г.В. Гадияк, Г.А. Качурин, И.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 32, 1111 (1992)
  • E. Cartier, J.H. Stathis. Appl. Phys. Lett., 69, 103 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.