В серии многослойных селективно легированных структур p-типа (Ge_1-xSi_x/Ge)x N с шириной слоя Ge от 100 до 250 Angstrem исследован квантовый магнитотранспорт в полях до 35 Тл при температурах 1.5/ 4.2 K. Вид полученных зависимостей сопротивления как продольного rho_xx, так и холловского rho_xy от магнитного поля, а также соотношение периодов осцилляций в сильном и слабом полях существенно изменяются в образцах с широкими слоями Ge и (или) с высокой плотностью двумерного газа. Эти особенности могут быть объяснены участием дополнительной подзоны в переносе носителей тока. Из расчетов структуры валентной зоны Ge в условиях размерного квантования и квантования магнитным полем (выполненных в приближении прямоугольной бесконечной потенциальной ямы) следует, что данной дополнительной подзоной может быть 2-я подзона размерного квантования тяжелых дырок. Оценки ее заселенности коррелируют с экспериментальными проявлениями участия дополнительной подзоны в гальваномагнитных явлениях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.