"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3--GaAs
Антюшин В.Ф.1, Арсентьев И.Н.2, Власов Д.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Измерены зависимости дрейфовой подвижности электронов в обогащенных каналах проводимости гетероструктур Ga2Se3--GaAs от поверхностной плотности зарядов. Обнаружено наличие зарядовой связи по обогащенному слою, достаточной для создания электротехнических (или микроэлектронных) приборов.
  • Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин. ФТП, 18, 1739 (1984)
  • Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 2, 148 (1986)
  • Е.И. Левин, А.М. Монахов, А.А. Рогачев. ФТП, 22, 450 (1988)
  • Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, М.М. Кипнис. ФТП, 25, 708 (1991)
  • Б.И. Сысоев, Е.В. Руднев, В.Ф. Антюшин. ФТП, 22, 1871 (1988)
  • Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, Е.В. Руднев, В.Д. Стрыгин. ФТП, 21, 1310 (1987)
  • V.F. Antyushin, E.V. Rudnev. 35 Int. Wissenschaftiches Kolloqvium (Ilmenau, DDR, 1990) p. 7
  • В.М. Кошкин. Автореф. докт. дис. (Харьков, 1971)
  • В.Ф. Антюшин, Т.А. Кузьменко, В.Д. Стрыгин. В сб.: Полупроводниковая электроника [Изв. ВГПИ (Воронеж), 239, 11 (1985)]
  • В.Ф. Антюшин, Б.И. Сысоев. ФТП, 22, 902 (1988)
  • Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, А.В. Асессоров. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 4, 115 (1993)
  • S. Kawaji. J. Phys. Soc. Japan, 27, 909 (1969)
  • H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann, K. Baldwin. Appl. Phys. Lett., 39, 912 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.