"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3--GaAs
Антюшин В.Ф.1, Арсентьев И.Н.2, Власов Д.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Измерены зависимости дрейфовой подвижности электронов в обогащенных каналах проводимости гетероструктур Ga2Se3--GaAs от поверхностной плотности зарядов. Обнаружено наличие зарядовой связи по обогащенному слою, достаточной для создания электротехнических (или микроэлектронных) приборов.
  1. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин. ФТП, 18, 1739 (1984)
  2. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 2, 148 (1986)
  3. Е.И. Левин, А.М. Монахов, А.А. Рогачев. ФТП, 22, 450 (1988)
  4. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, М.М. Кипнис. ФТП, 25, 708 (1991)
  5. Б.И. Сысоев, Е.В. Руднев, В.Ф. Антюшин. ФТП, 22, 1871 (1988)
  6. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, Е.В. Руднев, В.Д. Стрыгин. ФТП, 21, 1310 (1987)
  7. V.F. Antyushin, E.V. Rudnev. 35 Int. Wissenschaftiches Kolloqvium (Ilmenau, DDR, 1990) p. 7
  8. В.М. Кошкин. Автореф. докт. дис. (Харьков, 1971)
  9. В.Ф. Антюшин, Т.А. Кузьменко, В.Д. Стрыгин. В сб.: Полупроводниковая электроника [Изв. ВГПИ (Воронеж), 239, 11 (1985)]
  10. В.Ф. Антюшин, Б.И. Сысоев. ФТП, 22, 902 (1988)
  11. Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, А.В. Асессоров. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 4, 115 (1993)
  12. S. Kawaji. J. Phys. Soc. Japan, 27, 909 (1969)
  13. H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann, K. Baldwin. Appl. Phys. Lett., 39, 912 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.