"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Немонотонный характер зависимости сопротивления пленок поликристаллического кремния от температуры роста
Шенгуров Д.В.1, Павлов Д.А.1, Шабанов В.Н.1, Шенгуров В.Г.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Исследовано влияние температуры подложки Ts на слоевое сопротивление Rs для пленок поликристаллического Si, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. Обнаружен немонотонный характер зависимости Rs от Ts для пленок, легированных разными примесями в процессе осаждения. Предложено объяснение полученным экспериментальным результатам на основе модифицированной модели Сетто.
  • M.K. Hatalis, D.M. Greve. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL--8, 361 (1987)
  • Z. Shi, S.R. Wenham. Prog. Photovolt., 2, 153 (1994)
  • P.H.L. Rasky, D.W. Greve, M.H. Kryder, S. Dutta. J. Appl. Phys., 57, 4077 (1985)
  • Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 29, 286 (1995)
  • N.K. Annamalai et al. Thin Sol. Films, 155, 97 (1987)
  • M. Matsui, Y. Shiraki, E. Maruyama. J. Appl. Phys., 53, 995 (1982)
  • В.П. Кузнецов, В.В. Постников, Т.Д. Комарова, Е.А. Розанова, Т.Н. Стрижева, Т.М. Зотова. Кристаллография, 20, 626 (1975)
  • J.Y.W. Setto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
  • Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения (М., Мир, 1989) с. 244. [Пер. с англ.: Polycrystalline Semiconductors. Physical Properties and Application, ed. by G. Harbeke (Berlin e. a., 1985)]
  • В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19, 346 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.