"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Создание и фоточувствительность гетероструктур на основе анодизированного карбида кремния
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Гетеропереходы получены путем механического прижима анодированных пластин 6H-SiC к пластинам слоистых полупроводников AIIIBVI (InSe и GaSe) при 300 K. Благодаря высокому совершенству поверхностей сколов образуется прочный и достаточно совершенный электрический контакт. Спектр фотоэдс гетеропереходов имеет вид широкой полосы. Длинноволновый ее край обусловлен узкозонной компонентой, коротковолновый --- поглощением в SiC.
  1. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, А.М. Стрельчук. Письма ЖТФ, 22, вып. 17, 59 (1996)
  2. А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21, вып. 3, 64 (1995)
  3. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  4. J.A. Lely. Ber. Deut. Ceram. Ges., 32, 229 (1955)
  5. В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11, 2000 (1997)
  6. В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагиев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12, 374 (1978)
  7. Н.Н. Константинова, И.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 26, 558 (1992)
  8. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник (М., Наука, 1978)
  9. Н.М. Метхиев. Автореф. докт. дис. (ИФ АНА, Баку, 1991)
  10. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and Metal--Semiconductor Junctions (Academic Press, N. Y., 1972)
  11. Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, N 8, 68 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.