"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства периодических структур a-Si : Hm/a-SiNx : H, полученных нитридизацией слоев аморфного кремния
Биленко Д.И.1, Белобровая О.Я.1, Галишникова Ю.Н.1, Жаркова Э.А.1, Казанова Н.П.1, Колдобанова О.Ю.1, Хасина Е.И.1
1Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследованы кинетика нитридизации слоев a-Si : H и свойства образующихся при нитридизации структур, а также слоев a-Si : H в них. Изменение сопротивления слоев a-Si : H в ходе нитридизации описано конкуренцией легирования, переноса и изменением толщины остающегося слоя a-Si : H. Экспериментальные и расчетные данные по зонному спектру сверхрешеток при толщинах слоев a-Si : H~ 35 Angstrem и a-SiNx : H~ 5 Angstrem совпадают при описании моделью взаимодействующих квантовых ям при m*=(0.36± 0.1)m0. Сопоставление свойств сверхрешеток, получаемых последовательным осаждением слоев и нитризацией слоев a-Si : H, показало, что последние могут обладать более высоким "структурным совершенством".
  • R.A. Street, M.J. Thompson, N.M. Jonson. Phil. Mag. B, 51, 1 (1985)
  • C.B. Roxlo, B. Abeles, P.D. Persans. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1430 (1986)
  • P.V. Santos, M. Hundhausen, L. Ley, C. Viczian. J. Appl. Phys., 69, 778 (1991)
  • D. Bilenko, Y. Galishnikova, A. Jarkova, O. Coldobanova, E. Khasina. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (Charlottesville, 1995)
  • T. Thedje, B. Abeles. Appl. Phys. Lett., 45, 179 (1984)
  • Д.И. Биленко, Ю.Н. Галишникова, Э.А. Жаркова, О.Ю. Колдобанова, Е.И. Хасина. ФТП, 28, 2171 (1994)
  • Y. Hazama, K. Yamada, S. Miyazaki, M. Hirose. J. Non-Cryst. Sol., 114, 777 (1989)
  • Т. Шул. Решение инженерных задач на ЭВМ (М., Мир, 1982)
  • Л.А. Балагуров. ФТП, 20, 45 (1986)
  • В.В. Краснопевцев. Итоги науки и техники. Сер. Электроника, 14, 213 (1982)
  • Д.И. Биленко, Ю.Н. Галишникова, Э.А. Жаркова, О.Ю. Колдобанова, И.И. Николаева. Письма ЖТФ, 15, 64 (1989)
  • Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  • К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  • K. Hattori, T. Mori. Phys. Rev. Lett., 80, 825 (1988)
  • B. Dunnett, D.L. Jones, A.D. Stewart. Phil. Mag. B, 53, 159 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.