"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двумерные и трехмерные каналы проводимости на границах блоков в мозаичных кристаллах (CdHg)Te
Погребняк В.А.1, Раренко И.М.2, Халамейда Д.Д.1, Яковенко В.М.1
1Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Обнаружена дополнительная электронная проводимость по границам блоков в мозаичных кристаллах CdxHg1-xTe n-типа. В одной группе образцов проводимость по границам блоков носит двумерный (2D) характер, в другой группе более совершенных образцов --- трехмерный (3D) характер. По анализу осцилляций Шубникова--де-Гааза определены основные параметры 2D и 3D каналов: концентрации электронов, циклотронные массы, времена релаксации и подвижности. В сильном магнитном поле и при гелиевых температурах проводимость в образце осуществляется в основном по каркасу, образованному проводящими каналами на границах блоков. Сопротивление такого каркаса из 2D каналов в образце размером 6x 1.5x 0.5 мм3 составляет приблизительно 110 Ом и слабо зависит от температуры.
  1. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и их применение (М., Мир, 1969)
  2. R. Dornhaus, G. Nimtz. Springer Tracts in Mod. Phys., 98, 119 (1983
  3. I.M. Tsidilkovski, G.I. Harus, N.G. Shelushina. Adv. Phys., 34, 43 (1985)
  4. Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: Физика соединений A-=SUP=- II-=/SUP=-B-=SUP=- V-=/SUP=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) с. 246
  5. В.И. Иванов-Омский, Б.И. Иванов, В.К. Огородников, К.П. Смекалова. Тр. 1-го Всес. симп. по узкощелевым полупроводникам и полуметаллам (Львов, ЛГУ, 1975) ч. 3, с. 47
  6. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, В.И. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984)
  7. V. Ivanov-Omskii, N. Berchenko, A. Elizarov. Phys. St. Sol. (a), 103, 11 (1987)
  8. В.А. Погребняк, Д.Д. Халамейда, В.М. Яковенко. Письма ЖЭТФ, 46, 167 (1987)
  9. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
  10. K. Shinohara, R. Ueda, O.Ohtsuki, I. Ueda. Japan. J. Appl. Phys., 11, 273 (1972)
  11. R. Triboulet. Rev. Phys. Appl., 12, 123 (1977)
  12. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974). [Пер. с англ.: H.F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors (Wiley--Intersci. Publ., N. Y. e.a., 1971)]
  13. J. Hirth, H. Ehrenreich. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 367 (1985)
  14. С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
  15. H.F. Matare. J. Appl. Phys., 56, 2605 (1984)
  16. Б.М. Вул, Э.И. Заварицкая. ЖЭТФ, 76, 1089 (1979)
  17. Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, В.К. Огородников. ФТП, 18, 1458 (1984)
  18. V.A. Pogrebnyak, D. Khalameida, V. Yakovenko. Sol. St. Comm., 68, 811 (1988)
  19. Д. Шенберг. Магнитные осцилляции в металлах (М., Мир, 1986). [Пер. с англ.: D. Shoenberg. Magnetic oscillations in metals (Cambridge Univ. Press., London, e.a., 1984)]
  20. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, К.Р. Курбанов. Письма ЖТФ, 7, 1089 (1981)
  21. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М.: Наука, 1979) с. 166
  22. А.Н. Выставкин, Ш.М. Коган, Т.М. Лифшиц, П.Г. Мельник. Радиотехника и электроника, 8, 999 (1963)
  23. А.Х. Коттрелл. Дислокации и пластическое течение в металлах (М., Металлургиздат, 1968). [Пер. с англ.: A. Cottrell. Dislocation and Plastic Flow in Crystals (Clarendon Press, Oxford, 1951)]
  24. П.Н. Горлей, Л.А. Корачевцева, К.Р. Курбатов, Н.Я. Кушнир, Э.А. Маловичко. УФЖ, 38, 1067 (1993)
  25. И.М. Цидильковский. УФН, 152, 583 (1987)
  26. С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.А. Романов, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 23, 85 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.