Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта <карбид кремния>--<субмонослойная пленка металла>

Давыдов С.Ю.¹, Лебедев А.А.¹, Тихонов С.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 июня 1997 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках обобщенной модели Андерсона-Халдейна для плотности состояний полупроводника рассчитано положение локальных и квазилокальных состояний металлических атомов (щелочные металлы, металлы III группы и группы меди), адсорбированный на поверхности 6H-SiC и их заполнение. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по барьерам Шоттки.

В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
Proc. 5 Conf. "Silicon Carbide and Related Materials", ed. by M.G. Spencer et. al. [Inst. Phys. Conf. Ser., N 137 (Bristol--Philadelphia, 1993)]
J.R. Waldrop, R.N. Grant. Appl. Phys. Lett., 56, 557 (1990)
J.R. Waldrop, R.N. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72, 4757 (1992)
J.R. Waldrop, R.N. Grant. Appl. Phys. Lett., 62, 2685 (1993)
J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75, 4558 (1975)
V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys., 79, 316 (1995)
А.Н. Андреев, А.А.Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалов. ФТП, 29, 1828 (1995)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 2221 (1995)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 597 (1996)
W. Monch. In: Control of Semiconductor Interfaces, ed. I. Ohdomari et. al. (Elsevier, Amsterdam, 1994) p. 169
С.Ю. Давыдов. ФТП, 31, 1236 (1997)
F.D.M. Halstane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13, 2553 (1976)
Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлизова (М., Энергоатомиздат, 1991)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983)
W. Monch. Europhys. Lett., 7, 275 (1988)
W. Monch. Rep. Prog. Phys., 53, 221 (1990)
J.E. Klepeis, W.A. Harrison. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1315 (1988)
J.E. Klepeis, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 40, 5810 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель