"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации
Ковалев А.Н.1, Маняхин Ф.И.1, Кудряшов В.Е.1, Туркин А.Н.1, Юнович А.Э.1
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Исследованы спектры люминесценции p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при обратном смещении, достаточном для ударной ионизации. Инжекционная люминесценция светодиодов с такими структурами была изучена ранее. В активном слое InGaN гетероструктур существует сильное электрическое поле, и при малом обратном смещении преобладает туннельная составляющая тока. Лавинный пробой начинается при напряжениях Vth>8/10 В, т. е. ~3Eg (Eg --- ширина запрещенной зоны), в отличие от слабо легированных структур. Спектры излучения имеют коротковолновый край, соответствующий ширине запрещенной зоны GaN (3.40 эВ), и максимумы в области 2.60/2.80 эВ, соответствующие максимумам спектров инжекционной люминесценции в активном слое. Длинноволновый край спектров в области 1.7/1.8 эВ может быть связан с глубокими уровнями рекомбинации. Обсуждаются механизмы рекомбинации горячей электронно-дырочной плазмы в сильных электрических полях p-n-гетероструктур.
  • S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1332 (1995)
  • K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRTS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/11; http://nsr.mij.mrs.org/1/11
  • A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K. Zolina, A.E. Yunovich. Abstr. of 23rd Int. Symp. on Semicond. Comp., ISCS-23 (St.-Peterburg, 1996) abstr. 03.P3.04
  • К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1055 (1997).
  • A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K. Zolina. Abstr. of MRS Fall Meeting (Boston, 1996) symp. N, abstr. N9-37, 347 (1996)
  • J.I. Pankove, E.A. Miller, J.E. Berkeyheiser. J. Luminesc., 5, 84 (1972); 6, 482 (1973)
  • J.I. Pankove, M. Lampert. Phys. Rev. Lett., 33, 361 (1974).
  • Л.Н. Михайлов, Ю.К. Шалабутов, М.Д. Шагалова, В.Г. Сидоров, Л.Н. Василищев. ФТП, 9, 1808 (1975)
  • V.A. Dmitriev, N.I. Kuznetsov, K.G. Irvine, C.H. Carter, Jr. MRS Symp. Proc., 395, 909 (1996)
  • R.P. Vaudo, I.D. Goepfert, T.D. Moustakas, D.M. Beyea, T.J. Frey, K. Meehan. J. Appl. Phys., 79, 2779 (1996)
  • R.J. Moinar, R. Singh, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 66, 268 (1995)
  • D.M. Hoffmann, D. Kovalev, G. Steude, D. Volm, B.K. Meyer, C. Xavier, T. Monteiro, E. Pereira, E.N. Mokhov, H. Amano, I. Akasaki. MRS Symp. Proc., 395, 619 (1996)
  • Ф.И. Маняхин. Измер. техника, 11, 49 (1996)
  • Г.Е. Пикус. Теория полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) c. 347
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 111
  • W.E. Carlos, J.A. Freitas, M. Azif Khan, D.T. Olson, J.N. Kuznya. Phys. Rev. B, 48, 17 878 (1993)
  • F.A. Ponce. MRS Bulletin, 22, 51 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.