"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации
Ковалев А.Н.1, Маняхин Ф.И.1, Кудряшов В.Е.1, Туркин А.Н.1, Юнович А.Э.1
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Исследованы спектры люминесценции p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при обратном смещении, достаточном для ударной ионизации. Инжекционная люминесценция светодиодов с такими структурами была изучена ранее. В активном слое InGaN гетероструктур существует сильное электрическое поле, и при малом обратном смещении преобладает туннельная составляющая тока. Лавинный пробой начинается при напряжениях Vth>8/10 В, т. е. ~3Eg (Eg --- ширина запрещенной зоны), в отличие от слабо легированных структур. Спектры излучения имеют коротковолновый край, соответствующий ширине запрещенной зоны GaN (3.40 эВ), и максимумы в области 2.60/2.80 эВ, соответствующие максимумам спектров инжекционной люминесценции в активном слое. Длинноволновый край спектров в области 1.7/1.8 эВ может быть связан с глубокими уровнями рекомбинации. Обсуждаются механизмы рекомбинации горячей электронно-дырочной плазмы в сильных электрических полях p-n-гетероструктур.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, L1332 (1995)
  2. K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRTS Int. J. of Nitride Semic. Res., 1/11; http://nsr.mij.mrs.org/1/11
  3. A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K. Zolina, A.E. Yunovich. Abstr. of 23rd Int. Symp. on Semicond. Comp., ISCS-23 (St.-Peterburg, 1996) abstr. 03.P3.04
  4. К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1055 (1997).
  5. A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyachin, A.N. Turkin, K. Zolina. Abstr. of MRS Fall Meeting (Boston, 1996) symp. N, abstr. N9-37, 347 (1996)
  6. J.I. Pankove, E.A. Miller, J.E. Berkeyheiser. J. Luminesc., 5, 84 (1972); 6, 482 (1973)
  7. J.I. Pankove, M. Lampert. Phys. Rev. Lett., 33, 361 (1974).
  8. Л.Н. Михайлов, Ю.К. Шалабутов, М.Д. Шагалова, В.Г. Сидоров, Л.Н. Василищев. ФТП, 9, 1808 (1975)
  9. V.A. Dmitriev, N.I. Kuznetsov, K.G. Irvine, C.H. Carter, Jr. MRS Symp. Proc., 395, 909 (1996)
  10. R.P. Vaudo, I.D. Goepfert, T.D. Moustakas, D.M. Beyea, T.J. Frey, K. Meehan. J. Appl. Phys., 79, 2779 (1996)
  11. R.J. Moinar, R. Singh, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 66, 268 (1995)
  12. D.M. Hoffmann, D. Kovalev, G. Steude, D. Volm, B.K. Meyer, C. Xavier, T. Monteiro, E. Pereira, E.N. Mokhov, H. Amano, I. Akasaki. MRS Symp. Proc., 395, 619 (1996)
  13. Ф.И. Маняхин. Измер. техника, 11, 49 (1996)
  14. Г.Е. Пикус. Теория полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) c. 347
  15. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 111
  16. W.E. Carlos, J.A. Freitas, M. Azif Khan, D.T. Olson, J.N. Kuznya. Phys. Rev. B, 48, 17 878 (1993)
  17. F.A. Ponce. MRS Bulletin, 22, 51 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.