"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре
Фалеев Н.Н.1, Чалдышев В.В.1, Куницын А.Е.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2, Третьяков В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 28 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 1997 г.

Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы сверхрешетки InAs--GaAs, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре. Показано, что, несмотря на очень высокую концентрацию точечных дефектов, обусловленных наличием избыточного мышьяка, исходная сверхрешетка обладает высоким кристаллическим совершенством. Анализ изменений рентгенодифракционных кривых показал, что высокотемпературный отжиг, сопровождающийся образованием кластеров As и диффузией индия, приводит к значительным структурным преобразованиям в матрице GaAs и на интерфейсах.
  • Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures, ed. by L.L. Chang and K. Ploog (Martinus Nijhoff Publishers: Dordrecht, Boston, Lancaster, 1985)
  • M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett. 54, 1831 (1989)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, J.H.Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  • Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
  • G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  • M. Lesczynski. Phys. Rev. B, 48, 17046 (1993)
  • В.Г. Груздов, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 20, вып. 14, 1 (1994)
  • J.C. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, C.M. Tsai, J.C. Fan. J. Appl. Phys., 79, 664 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.