"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция рекристаллизованного наносекундным лазерным облучением теллурида кадмия
Бабенцов В.Н.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 28 января 1997 г.
Выставление онлайн: 1 января 1998 г.

Исследовано влияние лазерного облучения наносекундной длительности на морфологию и низкотемпературную фотолюминесценцию n-CdTe при плотностях мощности, приводящих к плавлению материала (0.2/0.5 Дж/см2). После перекристаллизации материал имеет поверхность типа "апельсиновой корки". Спектр низкотемпературной фотолюминесценции соответствует монокристаллическому p-CdTe низкого качества с большим содержанием дислокаций и комплексов точечных дефектов. Лазерное воздействие производит эффект дальнего действия и приводит к существенному изменению примесно-дефектной системы, характерному для конверсии типа проводимости n-> p, на расстоянии более 50 мкм от места поглощения излучения.
  • В.Н. Бабенцов, А. Байдуллаева, Б.М. Булах, С.И. Горбань, П.Е. Мозоль, Б.К. Даулетмуратов. Поверхность. Физика, химия, механика, 12, 144 (1988)
  • А. Байдуллаева, Б.М. Булах, Б.К. Даулетмуратов, Б.Р. Джумаев, Н.Е. Корсунская, П.Е. Мозоль, Г. Гарягдыев. ФТП, 26, 801 (1992)
  • В.Н. Бабенцов, А. Байдуллаева, А.И. Власенко, С.И. Горбань, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 27, 1618 (1993)
  • Н.В. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 22, 1248 (1988)
  • E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. St. Sol. (b), 109, 635 (1982)
  • В.Н. Бабенцов, Б.М. Булах, С.И. Горбань, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков. ФТП, 23, 1560 (1989)
  • В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, 21, 1724 (1987)
  • J.J. Dubovski, P.K. Bhat, D.F. Williams, P. Becla. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 1879 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.