Монкристаллы p-PbTe(Ga) с концентрацией галлия, недостаточной для полной компенсации действия неконтролируемых примесей и собственных дефектов решетки и реализации эффекта пиннинга уровня Ферми (УФ), были использованы для создания диодных структур In контакт-[p-PbTe(Ga)]-Pt контакт. Обнаружено, что свойства полученных структур имеют ряд отличительных особенностей по сравнению с барьерами Шоттки In-[p-PbTe]. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) исследованных структур не описываются известным соотношением теории Шоттки не только в области обратных, но и при прямых смещениях. При подсветке тепловым источником излучения в области температур T<80 K наблюдается явление остаточной фотопроводимости (ФП), после выключения подсветки ВАХ линейны. При постоянной подсвтеке наблюдается появление фотоэдс, а ветви ВАХ в области обратных смещений распрямляются. Экспериментальные результаты обсуждаются в рамках предположения о формировании областей с n-типом проводимости и стабилизированным положением УФ вблизи неомического контакта вследствие искривления зон. Не исключено, что области n-PbTe(Ga) изначально присутствуют в образце, но не проявляют себя в услвоиях омических контактов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.