Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Аннигиляция центров безызлучательной рекомбинации в структурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами в результате воздействия плазмы

Журавлев К.С.¹, Колосанов В.А.¹, Холланд М.², Мараховка И.И.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Университет Глазго, Глазго G12 8QQ, Великобритания

Поступила в редакцию: 24 октября 1996 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние низкоэнергетичной плазмы (CF₄, Ar, Kr) на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Установлено, что обработка в плазме приводит к гашению фотолюминесценции квантовых ям, расположенных в приповерхностной области структуры, и глубина этой области увеличивается с увеличением времени экспозиции в плазме. За пределами этой области после обработки структур в плазме интенсивность фотолюминесценции квантовых ям возрастает. Мы связываем изменения интенсивности фотолюминесценции с влиянием индуцированных плазмой неравновесных точечных дефектов, аномально быстро диффундирующих в глубь структуры.

А.В. Мурель, А.П. Касаткин, В.М. Коган. Изв. РАН. Сер. физ., 56, 161 (1992)
W. Beinstingl, R. Christanell, J. Smoliner, C. Wirner, E. Gornik, G. Weimann, W. Schlapp. Appl. Phys. Lett., 57, 177 (1990)
G. Juang, J.K. Hsu, I.S. Yen, H.S. Shiau. J. Appl. Phys., 72, 684 (1992)
O.J. Glembocki, B.E. Taylor, E.A. Dobisz. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 3546 (1991)
H.W. Wong, D.L. Green, T.Y. Liu, D.G. Lishan, M. Bellis, E.L. Hu, P.M. Petroff, P.O. Holtz, J.L. Mertz. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1906 (1988)
К.С. Журавлев, В.А. Колосанов, В.Г. Плюхин, Т.С. Шамирзаев. ЖТФ, 64, 185 (1994)
P.M. Petroff, R.C. Miller, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., 44, 217 (1984)
М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория (М., Мир, 1984) с. 236

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель