Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эволюция вольт-амперных характеристик фотолюминесцирующего пористого кремния при химическом травлении

Горбач Т.Я.¹, Свечников С.В.¹, Смертенко П.С.¹, Тульчинский П.Г.¹, Бондаренко А.В.², Волчек С.А.², Дорофеев А.М.², Мазини Ж.³, Маелло Г.³, Моника С.Ла³, Феррари А.³

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

³Dipartimento di Ingegneria Elettronica, Universita "La Sapienza", 18-- Roma, Itali

Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Установлено, что химическое травление пористого кремния в HF приводит к существенному изменению его вольт-амперных характеристик и параметров фотолюминесценции. Результаты исследования могут быть использованы для повышения эффективности электролюминесценции структур In-<пористый Si>-Al за счет повышения уровня инжекции неосновных носителей, реализации режима двойной инжекции и высокой скорости поверхностной рекомбинации в приповерхностной области пористого Si.

L.T. Canham. J. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
D. Stievenard, D. Deresmes. J. Appl. Phys. Lett., 67, 1570 (1995)
В.П. Бондаренко, Е.А. Бондаренко, А.М. Дорофеев, В.А. Самуйлов, Г.Н. Троянова. Вестн. БГУ, N 1, 80 (1995)
Z. Chen, T.-Y. Lee, G. Bosman. J. Appl. Phys. Lett., 76, 2499 (1994)
L.T. Canham. MRS Bulletin, 18(7), 22 (1993)
В.П. Бондаренко, В.Е. Борисенко, А.М. Дорофеев, А.А. Лешок, Г.Н. Троянова. ЗЭТ, вып. 1--3, 41 (1994)
A. Loni, A.J. Simons, T.I. Cox, P.D.J. Calcott, L.T. Canham. Electron. Lett., 31, 1288 (1995)
А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка 1981)
Е.В. Астрова, С.В. Белов, А.А. Лебедев. ФТТ, 38, 702 (1996)
Л.А. Головань, А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров. Письма ЖТФ, 20, 66 (1994)
В.В. Чистяков. Микроэлектроника, 24, 143 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель