Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости, полученных имплантацией ионов кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложкир GaAs, выращенные методом Чохральского. Показано, что совместная имплантация Si + P приводит к подавлению глубоких уровней в анионной подрешетке, увеличивает степень активации доноров и позволяет получить более резкий профиль распределения внедренной примеси в подложках обоих типов. Использование подложек GaAs, легированных изовалентной примесью In, не сказывается на степени активации доноров, но способствует отжигу радиационных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.