Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда

Мнацаканов Т.Т.¹, Поморцева Л.И.¹, Шуман В.Б.²

¹Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 ноября 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью предложенного ранее метода для определения параметров электронно-дырочного рассеяния в непрямозонных полупроводниках проведено исследование образцов p-кремния. Для измерения использовались диодные n⁺-p-p⁺-структуры. Полученные результаты свидетельствуют о возможности полного увлечения основными дырками неосновных электронов в материале p-типа проводимости при уровне легирования N>10¹⁸ см^-3 уже при комнатной температуре.

Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук. ФТП, 29, 1554 (1995) [Sov. Phys. Semicond., 29, 808 (1995)]
R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 56, 2736 (1986)
R.A. Hopfel, J. Shah, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 49, 572 (1986)
Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 24, 1668 (1990) [Phys. Techn. Semicond., 24, 1042 (1990)]
T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ЖТФ, 56, 1827 (1986) [J. Tech. Phys., 31, 1090 (1986)]
J.B. Slotboom, H.C. de Graaff. Sol. St. Electron., 19, 857 (1976)
N.D. Arora, J.R. Hauser, D.J. Roulston. IEEE Trans. Electron. Dev., 29, 292 (1982)
D. Lax, S.T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
M.S. Tyagi, R. Van Overstraeten. Sol. St. Electron., 26, 577 (1983)
F. Dannhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
J.R. Krausse. Sol. St. Electron., 15, 1376 (1972)
В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980) [Lett. J. Techn. Phys., 6, 299 (1980)]
T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель