Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме

Киселев В.А.¹, Полисадин С.В.¹, Постников А.В.¹

¹Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия

Поступила в редакцию: 4 июля 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Определены оптические константы слоев пористого кремния в диапазоне 600/800 нм и исследовано влияние на них термического отжига в вакууме. Изменение комплексного показателя преломления связано с десорбцией реагентов и продуктов электрохимической обработки кремния. Установлено, что при нагреве до 600 ^oC температурный коэффициент изменения отражения слоя пористого кремния на длине волны 633 нм не превышает 10^-6.

G.G. Qin, I.Q. Jia. Sol. St. Commun., 86, 559 (1993)
J. Kanemitsu, H. Uto, J. Masumoto. Phys. Rev. B, 48, 2827 (1993)
F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nicolov, V. Gavrilenko. Mater. Res. Soc. Symp., 283, 197 (1993)
H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitchwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
V.A. Kisilev, A.A. Chrebtugov, A.B. Churilov. SPIE Proc. Int. Conf. Microelectronics-92 (Warsaw, Poland, 1992) v. 1783, p. 378
V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochial, Y. Mochizuki, S. Matsui. Appl. Phys. Lett., 61, 940 (1992).
Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, 32 (1996)
В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во ЛГУ, 1986)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, (М., Наука, 1973)
M.I.J. Beale. J. Crysr. Growth, 73, 622 (1985)
В.А. Лабунов, В.П. Бондаренко, Л.К. Глиненко, И.Н. Басманов. Микроэлектроника, 12, 11 (1983)
J.J. Yon, K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. J. Appl. Phys. 62, 1042 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель