В кремнии n-типа при исследовании фотомагнитного эффекта (ФМЭ) обнаружена компонента, связанная с междолинным перезаселением электронов. Из ориентационных в спектральных характеристик ФМЭ удается выделить междолинную компоненту, когда освещаемая поверхность образца совпадает с кристаллографической плоскостью (110). Ее величина пропорциональна разности результатов измерений ФМЭ вдоль осей [110] и [100]. Результаты измерений находятся в хорошем согласии с расчетом. Сделан вывод о необходимости учета междолинной фотоэдс при измерении рекомбинационных параметров полупроводника с помощью ФМЭ, а также о возможном использовании междолинного ФМЭ для определения междолинных релаксационных параметров кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.