Разработана аналитическая модель для описания переноса горячих электронов и определения полевых зависимостей средней дрейфовой скорости v и дифференциальной подвижности mu_d в слоистых гетероструктурах с продольным протеканием тока на основании известных кинетических характеристик объемных материалов. Показано, что при оптимальном подборе соотношения толщин слоев и энергетического зазора на границе перехода в гетероструктуре GaAs-AlGaAs величина mu_d может существенно превышать mu_d объемного чистого GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.