Исследовано влияние температуры изохронного отжига на электрическую проводимость кристаллов кремния, облученных быстрыми нейтронами, тепловыми и быстрыми нейтронами при кадмиевом отношении 20. Показано, что электрическая проводимость кристаллов, облученных быстрыми нейтронами, целиком определяется дефектным центром с акцепторным уровнем E_v+0.45 эВ. Совокупность свойств глубокого дефектного уровня E_v+0.45 эВ (энергия ионизации, стабильность вплоть до T_отж=600^oС, превращение в диапазоне 600 < T_отж < 610^oС в более мелкие акцепторные уровни, влияние на его концентрацию повторного отжига) указывает на то, что данный уровень относится к неидентифицированным. Акцепторный уровень E_v+0.45 эВ обнаруживается также и в кристаллах, легированных фосфором в процессе ядерной трансмутации изотопа кремния ³⁰Si. Предложена модель аддитивного существования дефектных центров с акцепторными уровнями и трансмутационного фосфора, описывающая зависимость электрической проводимости кристаллов от режима облучения и термообработки (ход кривых изохронного отжига).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.