"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перестройка светом шума 1/f в арсениде галлия
Дьяконова Н.В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Экспериментально исследован обнаруженный ранее эффект перестройки светом шума типа 1/f в чистом эпитаксиальном GaAs. Изучены спектральные и температурные характеристики эффекта. Показано, что эффект возникает благодаря зона-зонному переходу носителей или переходу мелкий акцептор--зона проводимости. Сделан вывод об ответственности за эффект дырок, возникающих в кристалле при освещении. Высказано предположение о том, что шум 1/f в чистом GaAs при величине параметра Хоуге alpha~8·10-5/10-3 обусловлен суперпозицией генерационно-рекомбинационных процессов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.