"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О возможности реализации инверсной населенности спиновых подуровней Ландау в n-InSb при интенсивном субмиллиметровом возбуждении
Дмитриев А.П., Емельянов С.А., Терентьев Я.В., Ярошецкий И.Д.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Экспериментально исследовано циклотронное поглощение субмиллиметрового лазерного излучения свободными электронами в n-InSb при T=4.2 K. Обнаружено, что при достаточно большой интенсивности света поглощение между нулевым и первым уровнями Ландау со спином вниз ( 0--> 1-) существенно превосходит поглощение между уровнями со спином вверх ( 0+-> 1+). Полученный результат может быть объяснен накоплением электронов на верхнем спиновом уровне нулевой зоны Ландау. Предлагается механизм образования инверсной населенности. В ряде предельных случаев проведена оценка степени инверсии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.