"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Шумы и диффузия в коротких n+-n-n+-InP-структурах
Барейкис В., Билькис Ж., Либерис Ю., Сакалас П., Шальтис Р.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Исследованы зависимости шумовой температуры Tш и спектральной плотности флуктуаций тока (или коэффициента диффузии) от напряженности электрического поля E в микронных n+-n-n+-структурах фосфида индия при комнатной и температуре жидкого азота. Получено, что шумовая температура при заданном электрическом поле уменьшается с уменьшением длины n-области. Такое поведение Tш, по-видимому, можно объяснить особенностями внутридолинных кинетических процессов в образце ограниченных размеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.