"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров
Гарбузов Д.З., Тикунов А.В., Жигулин С.Н., Соколова З.Н., Халфин В.Б.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Рассматриваются особенности в зависимостях пороговой плотности тока и длины волны генерации от величины потерь на выход, характерные для полосковых лазеров с супертонкими квантово-размерными активными областями. Сопоставление соответствующих экспериментальных зависимостей, полученных для InGaAsP/GaAs-лазеров раздельного ограничения, с теоретическими расчетами, учитывающими нелинейный характер связи между усилением и током, позволяет количественно объяснить наблюдающиеся эффекты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.