"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (lambda=0.86/0.78 мкм) лазеры раздельного ограничения (Jп=100 А/см2, КПД=59%)
Алфёрове Ж.И., Антонишкис Н.Ю., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Колышкин В.И., Налет Т.А., Стругов Н.А., Тикунов А.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Сообщается о получении модифицированным методом жидкофазной эпитаксии InGaAsP/GaAs-лазеров раздельного ограничения, пороговые плотности тока в которых являются наиболее низкими из наблюдавшихся когда-либо для инжекционных лазеров (300 K). По мощности непрерывного излучения (~1.7 Вт) и КПД преобразования электрической энергии в световую (59% с учетом излучения на два зеркала) эти лазеры находятся на уровне лучших AlGaAs/GaAs-лазеров, изготовленных методом молекулярной или газофазной эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.