"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
Колин Н.Г., Куликова Л.В., Освенский В.Б.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Исследованы свойства арсенида галлия, легированного облучением реакторными нейтронами при высоких температурах. Показано, что состояние и свойства кристаллов арсенида галлия, облученных нейтронами при высокой температуре, не эквивалентны состоянию отожженных кристаллов после облучения при низкой температуре (=<sssim70oС). Для различных температур облучения характерны различные спектры простых и сложных дефектов с различной термической стабильностью. Наличие в кристаллах, облученных при T>600oС, остаточных точечных радиационных дефектов (РД), отжигающихся практически полностью при 200-300oС, объясняется "самооблучением" (излучением самого материала), вызванным распадом нестабильных радиоактивных изотопов в процессе длительного хранения образцов. С ростом концентрации РД (при увеличении флюенса нейтронов) увеличивается вероятность образования сложных комплексов дефектов в процессе последующей термообработки при низких температурах. Последние отжигаются при более высоких температурах (400-600oС).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.