Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице n-InAs

Романов В.В.¹, Иванов Э.В.¹, Моисеев К.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 октября 2013 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые в гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb, помещенных в узкозонную матрицу n-InAs, наблюдалась электролюминесценция при комнатной температуре. В исследуемых наногетероструктурах наблюдалась положительная люминесценция в интервале длин волн 3-4 мкм, обусловленная интерфейсными излучательными переходами электронов из самосогласованных квантовых ям на стороне матричных слоев InAs через разъединенную гетерограницу II рода InSb/InAs на уровни размерного квантования дырок в квантовых штрихах InSb, расположенные в запрещенной зоне матрицы вблизи дна зоны проводимости InAs.

А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35 (3), 375 (2001)
В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27 (14), 80 (2001)
Я.А. Пархоменко, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 47 (11), 1536 (2013)
A. Karim, O. Gustafsson, L. Hussain, Q. Wang, B. Noharet, M. Hammar, J. Anderson. J. Song. SPIE Proc., 8439, 84391J (2012)
В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП, 48 (5), 753 (2014),
К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43 (8), 1142 (2009)
В.В. Романов, П.А. Дементьев, К.Д. Моисеев. ФТП, 47 (3), 420 (2013)
Landolt-Bornstein. Handbook, Numerical Data, Ser. III (Springer, Berlin, Heidelberg) v. 17a, ed. by O. Madelung (1982) p. 264; v. 22a, ed. by K.-H. Hellwege (1987) p. 305
M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель