Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
Методами адмиттансной спектроскопии и с помощью численных самосогласованных расчетов исследован эффект электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах легированной гетероструктуры. Детально изучались образцы, содержащие 3 квантовые ямы InGaAs/GaAs, толщиной 7 нм каждая, разделенные барьерами по 150 нм. Содержание InAs в ямах составляло 22, 16 и 11.5%. Экспериментально и моделированием показано, что эффект относительного обеднения носителями заряда средней квантовой ямы возникает при смыкании локальных областей объемного заряда вокруг квантовых ям и сопровождается "выталкиванием" вверх потенциала средней ямы. Анализируются количественные характеристики этого эффекта в зависимости от температуры, толщины барьеров и концентрации в них легирующей примеси.
- F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
- V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70 (7), 075 312 (2004)
- В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
- A.A. Barybin, E.J.P. Santos. Semicond. Sci. Technol., 22, 1225 (2007)
- В.И. Зубков. ФТП, 41, 331 (2007)
- А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43, 1368 (2009)
- О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, И.Н. Яковлев, А.В. Соломонов. Завод. лаб., 76 (3), 24 (2010)
- Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
- F. Stern, S. Das Sarma. Phys. Rev. B, 30 (2), 840 (1984)
- А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков. Физика низкоразмерных систем (СПб., Наука, 2001)
- В.И. Зубков. ФТП, 40, 1236 (2006)
- P. Blood, J.W. Orton. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states (London, Academic Press, 1992)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
