Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Магнитная восприимчивость кристаллов твердых растворов Bi_2-xSb_xTe₃ (0<x≤1) в области собственной проводимости

Степанов Н.П.¹, Наливкин В.Ю.¹

¹Забайкальский государственный университет, Чита, Россия Transbaikal State University, Chita, Russia

Поступила в редакцию: 11 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты экспериментального исследования температурных зависимостей магнитной восприимчивости кристаллов Bi₂Te₃-Sb₂Te₃, содержащих 10, 25 и 50% Sb₂Te₃, выполненного на СКВИД-магнетометре (MPMS MultiVu) фирмы Quantum Design (USA), в температурном интервале от 2 до 400 K, с учетом анизотропии магнитной восприимчивости. В данной работе основное внимание уделено анализу поведения магнитной восприимчивости при температурах, больших 250 K, соответствующих переходу электронной системы кристалла в невырожденное состояние. Показано, что температурную зависимость магнитной восприимчивости в области собственной проводимости удается описать в рамках подходов Паули и Ландау-Пайерлса.

R. Mansfield. Proc. Phys. Soc., 74, 599 (1960)
R. Mansfield, W. Williams. Proc. Phys. Soc., 72, 733 (1958)
Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина. Неорг. матер. 36, 810 (2000)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
Н.П. Степанов, В.Ю. Наливкин, Г.А. Потапов. ФТП, 46, 24 (2012)
В.А. Кульбачинский, А.Ю. Каминский, К. Киндо и др. Письма ЖЭТФ, 73 (7), 396 (2001)
А.И. Ансельм. Введение в физику полупроводников (М., Наука, 1978)
М.П. Заячковский, Д.М. Берча, И.Ф. Заячковская. УФЖ, 23, 1119 (1978)
J.H. Denis. Anisotropy of thermoelectric in bismuth telluride (Cambridge, Massachusetts, 1961)
Л.Д. Ландау. Собрание трудов (М., Наука, 1969) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель