Особенности темновой проводимости селенида цинка
Дегода В.Я.1, Подуст Г.П.1
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Экспериментально полученные вольт-амперные зависимости темновой проводимости монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Среди возможных причин такого поведения вольт-амперных характеристик были рассмотрены контактно-инжекционные явления, эффект Пула-Френкеля. В результате исследования было установлено: 1) контакт монокристаллического n-ZnSe с металлическим In является омическим; 2) в области слабых полей вольт-амперная характеристика подчиняется закону Ома; 3) в области сильных полей темновая проводимость исследованных образцов определяется эффектом Пула-Френкеля. Также было выполнено дополнение теории Пула-Френкеля для разных потенциалов взаимодействия локального центра с носителем заряда.
- А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986)
- В.Я. Дегода, А.А. Софиенко. ФТП, 44 (5), 594 (2010)
- Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
- Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков. Селенид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1992)
- Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурачас, Л.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе (Киев, Наук. думка, 1998)
- М.С. Бродин, В.Я. Дегода, Б.В. Кожушко, А.О. Софiнко. Сенсор. електрон. и микросистем. технологии, 2 (8), 25 (2011)
- A.O. Sofiienko, V.Y. Degoda. Radiation Measurements, 47, 27 (2012)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- B.C.Фоменко. Эмиссионные свойства материалов (К., Наук. думка, 1981)
- G.B. Strinfellow, R.H. Bube. Phys. Rev., 171 (3), 903 (1968)
- E. Tournie, C. Morhain. Appl. Phys. Lett., 68 (10), 1356 (1996)
- S. Darwishy, A.S. Riady, H.S. Soliman. Semicond. Sci. Technol., 11 (1), 96 (1996)
- B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 47 (15), 9641 (1993)
- В.И. Стриха. Контактные явления в полупроводниках (Киев, Выща школа, 1982)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N.Y.--London, Academic Press, 1970)]
- Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Г.А. Касимова. ФТП, 25 (11), 1877 (1991)
- А.М. Козлов, В.В. Рыльков. ФТП, 31 (7), 777 (1997)
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.