На основе численного решения одномерного нестационарного уравнения Шредингера рассматривается вопрос о транспорте электронов через двухбарьерную квазипараболическую квантовую яму (КЯ) на основе GaAs/AlGaAs. Показана важность выбора вида начального волнового пакета (ширины и формы) для характеристики туннелирования. Получены времена накопления заряда в КЯ и его распада в зависимости от энергии электронов. Показано, что коэффициент пропускания данной структуры обладает системой эквидистантных пиков, соответствующих туннелированию через квазистационарные состояния осциллятора и виртуальные уровни в континууме КЯ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.