"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
Баграев Н.Т.1, Клячкин Л.Е.1, Суханов В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Впервые демонстрируются двумерные кремниевые транзисторные структуры, которые в зависимости от режима включения определяют характеристики как биполярного, так и полевого транзисторов. Данные транзисторные структуры исследуются на предмет туннелирования электронов и дырок при переносе вдоль двумерной базы (полевой режим) и при протекании тока эмиттер-база-коллектор (биполярный режим).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.