Теоретически исследована зависимость от времени тока короткого замыкания в варизонной m-p-n-структуре после импульсного возбуждения монохроматическим светом с энергией квантов, большей ширины запретной зоны на освещаемой поверхности. Учтены зарядка барьерных емкостей p-n-перехода и освещаемой поверхности и утечка дырок через барьер на контакте металл-полупроводник. Рекомбинацией носителей и их захватом на ловушки пренебрегалось. Показано, что эволюция тока включает в себя две стадии: зарядку барьерных емкостей с характерным временем t_RC, составляющим несколько тысячных пролетного времени, и дрейф носителей к p-n-переходу. На первой стадии ток положителен из-за значительной диффузии электронов в слой объемного заряда у освещаемой поверхности. Короткозамкнутость цепи приводит к заметной разности потенциалов V_pn на p-n-переходе уже при временах ~ t_RC, что эквивалентно возрастанию отрицательной компоненты тока. В результате ток убывает и меняет знак. Дрейф носителей обеспечивает дальнейшее падение J и достижение минимума, после чего уход носителей из p-толщи приводит к уменьшению |J| и стремлению J к нулю, При низких уровнях возбуждения h << 1 парциальные разности потенциалов на барьерах V_ms и V_pn монотонно растут, разность потенциалов на p-толще существенна лишь на первой стадии, ток после достижения максимума |J| убывает с характерным временем порядка пролетного. При h =<sssim 1 зависимости V_ms и V_pn от времени немонотонны, а максимум |J| с ростом h достигается позже. Несмотря на значительные величины V_ms и V_pn, ток после выравнивания их значений управляется ЭДС Тауца, а его стремление к нулю определено характерным временем утечки дырок через m-p-барьер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.