Примесные состояния ванадия в теллуриде кадмия и цинка
Гнатенко Ю.П., Гамерник Р.В., Фарина И.А., Блашкив В.С., Крочук А.С.
Поступила в редакцию: 9 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.
Проведены низкотемпературные исследования оптических (4.5 K) и фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe и ZnTe, легированных ванадием. Для 3d3-иона ванадия определены энергии перехода носителей в зоны проводимости и валентную, а также энергии Мотта-Хаббарда в обоих кристаллах. Обнаружен резонанс возбужденного 4Ti(4P)-состояния иона V2+ с зоной проводимости кристалла CdTe.
- A.A.Schroeder, T.S. Stark, A.L. Smirl, G.C. Valley. Opt. Commun., 84, 369 (1991)
- П.И. Бабий, Р.В. Гамерник, Ю.П. Гнатенко, А.С. Крочук. ФТП, 23, 739 (1989)
- P.A. Slodwy, J.M. Baranowski. Phys. St. Sol. (b), 49, 499 (1972)
- L.M. Hoang, J.M. Baranowski. Phys. St. Sol. (b), 84, 361 (1977)
- A. Zunger. Ann. Rev. Mater. Sci., 15, 411 (1985)
- Г.К. Ипполитова, Э.М. Омельяновский, А.Д. Первова. ФТП, 9, 1308 (1975)
- K. Suto, M. Aoki. J. Phys. Japan, 22, 149 (1967)
- В.И. Соколов. ФТП, 28, 545 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук