Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры технологического отжига на радиационные изменения электрофизических свойств МОП структур на основе кремния

Кучинский П.В.¹, Лисовский Г.А.¹, Савенок Е.Д.¹

¹Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко при Белорусском государственном университете, Минск, Белоруссия

Поступила в редакцию: 21 августа 1995 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние термоотжига МОП транзисторов на эффективность радиационной деградации электрофизических свойств приборов. Показано, что для МОП приборов с использованием пирогенного подзатворного окисла последующие термообработки свыше 850 ^oC приводят к существенному росту эффективности радиационной деградации. Результаты объяснены в рамках модели релаксации внутренних механических напряжений.

P.S. Winokur, J.P. Schwank, P.J. McWhorter, P.V. Dressendorfer, D.C. Tupin. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-31, 1453 (1984)
C.M. Dozier, D.P. Brown, R.K. Freitag, J.L. Throckmorton. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33, 1323 (1986)
M. Gaitan, T.J. Russel. IEEE Trans. Nucl Sci., NS-31, 1256 (1984)
J.S. Kang, D.K. Schroder, A.R. Alvarez. Sol. St. Electron., 32, 679 (1989)
С.А. Литвиненко, В.Г. Литовченко, В.И. Соколов. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев), N 8, 40 (1985)
S.K. Lai. J. Appl. Phys., 54, 2540 (1983)
K.J. Rawlings, S.C. Jain, J.W. Leake. Sol. St. Electron., 32, 555 (1989)
Ю.В. Богатырев, В.И. Демченко, Ф.П. Коршунов. Препринт КИЯИ-76-25 (Киев, 1976) с. 28
F.W. Sexton IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-32, 3975 (1985)
Е.В. Власенко, Е.И. Гамелин, В.В. Поспелов, В кн.: \it Физические процессы в МДП структурах (Киев, 1976) с. 17
С.Н. Козлов, А.Ю. Потапов. Вестн. МГУ. Сер. 3, 30, 70 (1989)
Я.А. Шик. В кн.: \it Материалы 8 Зимней школы по физике полупроводников (Л., 1977) с. 94
В.Н. Добровольский, В.Г. Литовченко. \it Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1985) с. 192

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель