"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О распределении потенциала в тонком слое полупроводника
Ковалевская Т.Е.1, Овсюк В.Н.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

При исследовании электронных явлений в тонких слоях полупроводников с использованием методик измерения адмиттанса или модулированного адмиттанса, а также при изучении полевых транзисторов с барьером Шоттки, как правило, требуется знание аналитической связи между потенциалами на внешней и внутренней границах полупроводникового слоя. В данной работе предложены относительно простые аппроксимации, описывающие с достаточно хорошей точностью распределение потенциала в тонком слое монополярного полупроводника, что облегчает вычисление аналитической связи между потенциалами на внутренней границе раздела слоя и потенциалами его внешней поверхности.
  • Б.А. Бобылев, В.Н. Овсюк, С.Б. Севастьянов, В.И. Усик. ФТП, 23, 1932 (1989)
  • В.Н. Овсюк. \it Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, 1984)
  • Е. Янке, Ф. Эмде, Ф. Леш. \it Специальные функции (М., Наука, 1968)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.