"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах
Пенин Н.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Рассмотрен эффект ''отрицательной емкости'' в однородных (без барьеров) полупроводниковых структурах. Показано, что отрицательная емкость возникает, если проводимость в структуре имеет инерционный характер и реактивная компонента тока превышает максвелловский ток смещения.
  • J. Werner, A. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., 60, 53 (1988)
  • X. Wu, E.S. Yang, H.L. Evans. J. Appl. Phys., 68, 2845 (1990)
  • K. Steiner, N. Uchitami, N. Toyoda. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 1113 (1990)
  • S.H. Zoidi, A.K. Jonsher. Semicond. Sci. Technol., 2, 587 (1987)
  • А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 28, 1569 (1994)
  • M. Beale, P. MacKay, Phil. Mag. B, 65, 47 (1992)
  • M. Beale. Phil. Mag. B, 65, 65 (1992)
  • Н.А. Пенин. ФТП, 23, 466 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.