"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями
Прибылов Н.Н.1, Прибылова Е.И.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Изучены причины появления на температурных зависимостях электрических потерь пиков в килогерцевом диапазоне на структурах типа <металл--диэлектрик--полупроводник--диэлектрик--металл>. Показано, что пики определяются изменением проводимости компенсированных полупроводников, а их температурное и частотное положение позволяет определить удельную электропроводность высокоомного материала.
  • А.Г. Яковенко, Е.А. Шелонин, В.И. Фистуль. ФТП, 17, 345 (1983)
  • В.С. Постников, В.С. Борисов, Ю.А. Капустин, В.И. Кириллов. ФТП, 24, 855 (1990)
  • Д.А. Вахабов, А.С. Закиров, Х.Т. Игамбердыев, А.Т. Мемадалимов, К. Махмудов, Ш.О. Турсунов, Х.С. Юлдашев. ФТТ, 32, 264 (1990)
  • H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev., 126, 466 (1962)
  • П.Т. Орешкин. \it Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.