Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экзоэмиссия и фазовые переходы на реальной поверхности кристаллического и пористого кремния

Крылова И.В.¹, Петрухин А.Г.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 10 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована "спонтанная" термостимулированная (T=20/400^oC) эмиссия электронов и ионов (экзоэмиссия) с поверхности кристалла кремния и пористого кремния. Обнаруженные всплески токов экзоэмиссии с травленой поверхности кремния и пористого кремния при охлаждении отнесены к экзотермическим процессам кристаллизации тонкого оксидного слоя на "реальной" поверхности кремния. Всплески экзоэмиссии при нагревании в ходе многократных термоциклических испытаний соотнесены с многообразными структурными фазовыми переходами в модификациях тридимита и кристобалита в тонком оксидном слое. Результаты, полученные для реальной поверхности кремния, сопоставлены с всплесками эмиссионного тока из поверхностного слоя оксида, полученного высокотемпературным окислением кремния.

В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. \it Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
J. Yoshinobu, S.J. Tanaka, M. Nishijima. Japan. J. Appl. Phys., 32, pt. 1, N 3A, 1171 (1993)
И.В. Крылова. Успехи химии, 55, 2138 (1976)
И.В. Крылова. Химическая электроника (М., МГУ, 1993)
А.В. Петров, А.Г. Петрухин. ФТП, 28, 82 (1994)
J. Drenkhan, H. Gross, M. Glaefeke. Phys. St. Sol. (a), 2, K20, K51 (1970)
T. Gorecki. Latin. Amer. J. Met. Mater., 7, 3 (1987)
T. Gorecki. \it Proc. 9th Int. Symp. on Exoelectr. Emiss. and Appl. (Wroclaw, Poland, 1988) v. 2, p. 303
F. Zazepina. \it Abstracts 11th Int. Symp. on Exoelectr. Emiss. and Appl. (Glucolazy, Poland, 1994) p. 37
H. Graetsch, O.W. Florke. Z. Kristallogr., 95, N 1--2, 31 (1991)
H. Glaefeke. \it Thermally Stimulated Relaxations in Solids, ed. by P. Braunlich (Springer-Verlag, 1979)
В.С. Кортов, В.Г. Исаков. Изв. АН СССР. Сер. физ., 46, 1401 (1982)
R.Z. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, N 8, R1 (1992)
Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (F), 283 (1992)
A. Ourmazd, W. Schroter, A. Bourret. J. Appl. Phys., 56, 565 (1984)
K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, V.Yu. Ptitsin. Phys. St. Sol. (a), 93, 565 (1986)
Б.А. Андреев, В.Г. Голубев, В.В. Емцев, Г.И. Кропотов, Г.А. Оганесян, К. Шмальц. ФТП, 27, 567 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель