"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором
Курова И.А.1, Мелешко Н.В.1, Ларина Э.В.1, Хлебникова О.П.1, Громадин А.Л.1
1Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследовано влияние высокотемпературного отжига на проводимость sigmad и фотопроводимость sigma ph пленок аморфного кремния a-Si : H, легированных фосфором. Показано, что не наблюдается повышения sigmad и sigma ph пленок после отжига их при температурах Ta<450oC, как это наблюдалось в пленках, легированных бором, вследствие увеличения концентрации электрически активных атомов примеси B. Приводится возможное объяснение различного влияния отжига на пленки, легированные донорной и акцепторой примесью.
  • S.J. Pearton, J.W. Corbett, J.S. Shi. J. Appl. Phys. A, 43, 153 (1987)
  • M.L. Thewalt, E.C. Lightowter, Y.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 46, 686 (1985)
  • N.M. Jhonson, C. Herring, D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 56, 769 (1986)
  • P.J.H. Dentenur, C.G. Van de Walle, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 39, 10809 (1989)
  • K.S. Chang, D.S. Chadi. Phys. Rev. A, 40, 11644 (1989)
  • И.А. Курова, А.Н. Лупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  • R.A. Street, J. Kakalios, C.C. Tsai, T.M. Hayes. Phys. Rev. B, 35, 1316 (1987)
  • B.G. Yoon, C. Lee, J. Jang. J. Appl. Phys., 60, 673 (1986)
  • И.П. Звягин. \it Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984) с. 86
  • \it Аморфные полупроводники, под ред. М.Бродски (М., Мир, 1982) с. 60
  • W. Beyer, H. Wagner. J. de Physique, Coll. C4, 42, 783 (1981)
  • W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 41, 12323 (1990)
  • C.E. Nebel, R.A. Street, W.B. Jackson, N.M. Johnson. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 203 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.