"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разрешенная во времени импульсная экситонная фотолюминесценция чистых кристаллов и пленок 6 H-SiC
Данишевский А.М.1, Рогачев А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Приведены спектры разрешенной во времени экситонной фотолюминесценции чистых образцов 6H-SiC при 90 K, полученные при различных временных задержках, отсчитанных от максимума возбуждающего импульса. Экситонные полосы неодинаково затухают во времени, и некоторые из них имеют небольшой сдвиг по энергии от времени задержки. Приведены оценки, поясняющие возможность неблюдения такого сдвига.
  • W.-J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
  • M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiwa, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  • M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. St. Sol. (a), 58, 657 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.