"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние постоянного электрического поля и неравновесных оптических фононов на излучение электронов в высокочастотном поле
Амиров Р.Х.1, Зудеев О.Г.1
1Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Рассмотрено влияние постоянного электрического поля на внутризонное излучение электронов в высокочастотном электромагнитном поле с учетом неравновесных полярных оптических фононов. Показано, что постоянное поле увеличивает долю излучения из-за неравновесных фононов относительно неравновесного фонового излучения, в частности, до 0.8 и 0.43 в двух разных спектральных интервалах для n-GaAs при времени фонон-фононной релаксации 10-11 c. Исследована также анизотропия излучения, возникающая благодаря наличию постоянного поля.
  1. D. von der Linde, J. Kuhl, H. Klingenberg. Phys. Rev. Lett., 44, 1505 (1980)
  2. J. Shah, R.C.C. Leite, J.F. Scott. Sol. St. Commun., 8, 1089 (1970)
  3. M. Cardona, C.H. Grein, H.D. Fuchs, S. Zoller. J. Non-Cryst. Sol., 141, 257 (1992)
  4. С.Н. Иванов, А.В. Таранов, Е.Н. Хазанов. ЖЭТФ, 99, 1311 (1991)
  5. А.Г. Козорезов, М.В. Красильников. ФТТ, 31, 109 (1989)
  6. Л.Е. Воробьев. ФТП, 8, 1291 (1974)
  7. Р.Х. Амиров, О.Г. Зудеев, В.А. Иванченко. ФТП, 18, 1836 (1984)
  8. Р.Х. Амиров, О.Г. Зудеев. ФТП, 26, 592 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.