"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние постоянного электрического поля и неравновесных оптических фононов на излучение электронов в высокочастотном поле
Амиров Р.Х.1, Зудеев О.Г.1
1Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Рассмотрено влияние постоянного электрического поля на внутризонное излучение электронов в высокочастотном электромагнитном поле с учетом неравновесных полярных оптических фононов. Показано, что постоянное поле увеличивает долю излучения из-за неравновесных фононов относительно неравновесного фонового излучения, в частности, до 0.8 и 0.43 в двух разных спектральных интервалах для n-GaAs при времени фонон-фононной релаксации 10-11 c. Исследована также анизотропия излучения, возникающая благодаря наличию постоянного поля.
  • D. von der Linde, J. Kuhl, H. Klingenberg. Phys. Rev. Lett., 44, 1505 (1980)
  • J. Shah, R.C.C. Leite, J.F. Scott. Sol. St. Commun., 8, 1089 (1970)
  • M. Cardona, C.H. Grein, H.D. Fuchs, S. Zoller. J. Non-Cryst. Sol., 141, 257 (1992)
  • С.Н. Иванов, А.В. Таранов, Е.Н. Хазанов. ЖЭТФ, 99, 1311 (1991)
  • А.Г. Козорезов, М.В. Красильников. ФТТ, 31, 109 (1989)
  • Л.Е. Воробьев. ФТП, 8, 1291 (1974)
  • Р.Х. Амиров, О.Г. Зудеев, В.А. Иванченко. ФТП, 18, 1836 (1984)
  • Р.Х. Амиров, О.Г. Зудеев. ФТП, 26, 592 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.