"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
Аникин М.М.1, Лебедев А.А.1, Растегаева М.Г.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Предложена модификация сублимационного сэндвич-метода для выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, отличающаяся лучшей управляемостью процессов роста, более низкой энергоемкостью и высокой производительностью.
  1. М.М. Аникин, В.А. Дмитриев, Н.Б. Гусева, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., вып. 10, 1768 (1984)
  2. M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pytko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In: \it Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Zh.C. Feng (World Scientific Publishing Co., Singapore, 1992) p. 280

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.