Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния

Аникин М.М.¹, Сыркин А.Л.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждены вопросы, связанные с одной из наиболее известных технологий роста эпитаксиальных слоев карбида кремния - сублимационной эпитаксией. Рассмотрены достоинства и недостатки этого метода с точки зрения получения структурно совершенных слоев заданной концентрации, в том числе вопрос снижения уровня легирования эпитаксиальных слоев фоновой примесью. Предложены пути решения существующих в этой области проблем.

В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 10, 1053 (1984)
D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Proc. ICSCRM-93 (Washington DC, USA, 1993)
M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pytko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin In: \it Semiconductor interfaces and microstructures, ed. by Zh.C. Feng (World Scientific Publishing Co., Singapore, 1992) p. 280
H.C. Chang. Semicond. Prod., 3, 23 (1960)
J.A. Lely. Ber.Deut. Keram. Ges., 32, 299 (1955)
Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Cryst. Res. Techn., \bf 14, 729 (1979)
А.О. Константинов, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, \bf 7, 247 (1981)
М.М. Аникин, В.А. Дмитриев, Н.Б. Гусева, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 20, 1768 (1984). \numref[9]S. Tyc. \it Proc. ICSCRM-93 (Washington DC, USA, 1993). \numref[10]A.O. Konstantinov, P.A. Ivanov. \it Proc. ICSCRM-93 (Washington DC, USA, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель