Исследована природа излучательной рекомбинации светодиодных гетероструктур на основе твердого раствора n-GaInAsSb, состав которого был предельно близок к области несмешиваемости. Показано, что в исследованном интервале токов накачки (I<6 A) и температур 77-300 K электролюминесценция вызвана туннельной рекомбинацией в области гетерограниц с большими разрывами зон проводимости (Delta E_c/E_g~ 100%), формирующихся между узкозонной активной областью n-GaInAsSb и эмиттерными слоями N-GaSb и P-GaAlAsSb. Установлено влияние величины разрыва зоны проводимости на N-n-гетерогранице на зависимость положения максимума электролюминесценции от величины инжекционного тока и на эффективность излучательной рекомбинации в гетеросветодиодах на основе GaSb/GaInAsSb предельного состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.