"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb предельного состава
Попов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследована природа излучательной рекомбинации светодиодных гетероструктур на основе твердого раствора n-GaInAsSb, состав которого был предельно близок к области несмешиваемости. Показано, что в исследованном интервале токов накачки (I<6 A) и температур 77--300 K электролюминесценция вызвана туннельной рекомбинацией в области гетерограниц с большими разрывами зон проводимости (Delta Ec/Eg~ 100%), формирующихся между узкозонной активной областью n-GaInAsSb и эмиттерными слоями N-GaSb и P-GaAlAsSb. Установлено влияние величины разрыва зоны проводимости на N-n-гетерогранице на зависимость положения максимума электролюминесценции от величины инжекционного тока и на эффективность излучательной рекомбинации в гетеросветодиодах на основе GaSb/GaInAsSb предельного состава.
  • А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак, А.А. Попов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, \bf 16, 19 (1990)
  • А.Н. Баранов, А.М. Литвак, А.А. Попов и др. Письма ЖТФ, \bf 16, 33 (1990)
  • А.Н. Титков, В.Н. Чебан, А.Н. Баранов и др. ФТП, \bf 24, 1056 (1990)
  • M. Nakao, S. Yashida, S. Gonda. Sol. St. Commun., \bf 49, 663 (1986)
  • Н.М. Колчанова, А.А. Попов, А.Б. Богословская, Г.А. Сукач. Письма ЖТФ, \bf 19, 61 (1993)
  • Г.Г. Зегря, А.А. Харченко. ЖЭТФ, 25, 394 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.