Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурные исследования фотолюминесценции структур In_xGa_1-xAs/ GaAs с квантовыми ямами

Карачевцева М.В.¹, Игнатьев А.С.¹, Мокеров В.Г.¹, Немцев Г.З.¹, Страхов В.А.¹, Яременко Н.Г.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 4 ноября 1993 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В работе проведены температурные исследования фотолюминесценции структур In_0.13Ga_0.87As/GaAs с квантовыми ямами, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от уровня возбуждения при разных температурах свидетельствует об экситонной рекомбинации при T<20 K и рекомбинации свободных носителей при T>50 K. Гашение фотолюминесценции в области температур (15/50) K обусловлено активационными процессами с энергиями активации 6.4 и 5.7 мэВ для ям с ширинами 37 и 63 Angstrem соответственно. По энергетическому положению максимума фотолюминесценции при разных температурах получена температурная зависимость ширины запрещенной зоны ненапряженного твердого раствора In_0.13Ga_0.87As и ее аппроксимация функцией Варшни. Получены также зависимости коэффициента прогиба c от температуры и коэффициентов alpha и theta в функции Варшни от состава твердого раствора.

А.С. Игнатьев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, \bf 28, 125 (1994)
R.E. Nahory. Appl. Phys. Lett., 33, 659 (1978)
Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., 1981) т. 2
S. Adachi. J. Appl. Phys., 53, 8775 (1982)
Y.T. Leu, F.A.Thien, H. Scheiber, B.I. Milleer, J. Bachmann. J. Electron. Mater., \bf 8, 663 (1979)
D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borfhs. J. Appl. Phys., \bf 66, 1739 (1989)
K.H. Goetz, D. Bimberg, H. Jurgensen, J. Selder, A.V. Solomonov, G.F. Glinskii, M. Razeghi. J. Appl. Phys., \bf 54, 4543 (1983)
H. Peyre, F. Alsina, J. Camassel, J. Pascual, R.W. Glew. J. Appl. Phys., \bf 73, 3760 (1993)
A. Chiari, M. Colocci, F. Fermi, Li. Yuzhang, R. Guerzoli, A. Vinattieri, Weihua Zhuang. Phys. St. Sol., \bf 144, 421 (1988)
И.А. Авруцкий, В.А. Сычугов, Б.А. Усиевич. ФТП, \bf 25, 1787 (1991)
F.H. Pollak, Surf. Sci., 37, 863 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель