Эффект вытягивания неосновных носителей в фоторезистивных кристаллах CdxHg1-xTe с различным типом проводимости
Власенко А.И.1, Любченко А.В.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Исследован эффект вытягивания неосновных носителей заряда в кристаллах Cdx Hg1-x Te с x~= 0.21/0.22 n-, p- и смешанного типа проводимости. Получено простое соотношение, позволяющее проанализировать этот эффект. По экспериментальным значениям времени жизни и электрического поля, при котором наступает вытягивание, рассчитана амбиполярная подвижность, характеризующая в кристаллах n- и p-типа проводимости подвижность неосновных носителей заряда.
- M.R. Johnos. J. Appl. Phys., 43, 3090 (1972)
- В.И. Иванов-Омский, В.К. Огородников, Т.Ц. Тотиева. ФТП, \bf14, 699 (1980)
- Л.Н. Курбатов, А.В. Межерицкий, И.М. Овчинников, Н.В. Сороко-Новицкий, Е.С. Банин, Т.Ф. Терехович. ФТП, \bf 14, 799 (1980)
- А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. ФТП, \bf 13, 2180 (1979)
- А.И. Елизаров, Л.П. Зверев, В.В. Кружаев, Г.М. Миньков, О.Э. Рут. ФТП, \bf 17, 459 (1983)
- Л.А. Карачевцева, А.В. Любченко. ФТП, 26, 1342 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук