"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p- i- n-структурах на основе GaAs
Ильинский А.В.1, Куценко А.Б.1, Мельников М.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

С помощью оптического метода наблюдения распределения электрического поля, использующего эффект Франца-Келдыша, изучалось влияние дополнительного фотовозбуждения на вид стационарного распределения поля в объеме p-i-n-структуры на основе слаболегированного GaAs при приложении напряжения запирающей полярности. Обнаружено, что область локализации поля с увеличением интенсивности фотовозбуждения смещается в сторону p0-слоя структуры. Показано, что фотовозбуждение приводит к смещению положения точки равновесия отрицательного и положительного зарядов, локализованных на примесях вследствие уменьшения отрицательного заряда акцепторов за счет генерации электронов с акцепторных уровней в зону проводимости. С учетом этих переходов в установленной модели процессов переноса заряда в i-слое структуры представлен теоретический анализ наблюдаемых картин поля.
  1. Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков, Г.И. Цвилев. ЖТФ, \bf 57, 771 (1987)
  2. Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, \bf 9, 652 (1983)
  3. Ж.И. Алферов, В.И. Корольков, Н. Рахимов, М.Н. Степанова. ФТП, \bf 12, 75 (1978)
  4. С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (M., Мир, 1984)
  5. М.И. Неменов, Б.С. Рывкин, М.Н. Степанова. Письма в ЖТФ, \bf 10, 472 (1984)
  6. A. Patrovi, A. Kost, E. Garmire, G. Valley, M. Klein. Appl. Phys. Lett., \bf 56, 12 (1990)
  7. В.И. Корольков, В.Н. Красавин, С.И. Пономарев, Г.И. Цвилев. ФТП, \bf 19, 328 (1985)
  8. А.В. Ильинский, А.Б. Куценко, М.Н. Степанова. ФТП, \bf 26, 710 (1992)
  9. А.В. Ильинский, А.Б. Куценко. ФТП, 28, 48 (1994)
  10. А.В. Ильинский, А.Б. Куценко, М.Б. Мельников. ФТП, \bf 28, 150 (1994)
  11. В.Г. Никитин, И. Рагинска, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков, Т.П. Федоренко. \it Тез. докл. III Всес. конф. "Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах" (Одесса, 1982) т. 3, с. 102

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.