"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p- i- n-структурах на основе GaAs
Ильинский А.В.1, Куценко А.Б.1, Мельников М.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

С помощью оптического метода наблюдения распределения электрического поля, использующего эффект Франца-Келдыша, изучалось влияние дополнительного фотовозбуждения на вид стационарного распределения поля в объеме p-i-n-структуры на основе слаболегированного GaAs при приложении напряжения запирающей полярности. Обнаружено, что область локализации поля с увеличением интенсивности фотовозбуждения смещается в сторону p0-слоя структуры. Показано, что фотовозбуждение приводит к смещению положения точки равновесия отрицательного и положительного зарядов, локализованных на примесях вследствие уменьшения отрицательного заряда акцепторов за счет генерации электронов с акцепторных уровней в зону проводимости. С учетом этих переходов в установленной модели процессов переноса заряда в i-слое структуры представлен теоретический анализ наблюдаемых картин поля.
  • Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, А.В. Рожков, Г.И. Цвилев. ЖТФ, \bf 57, 771 (1987)
  • Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, С.И. Пономарев, А.В. Рожков. Письма ЖТФ, \bf 9, 652 (1983)
  • Ж.И. Алферов, В.И. Корольков, Н. Рахимов, М.Н. Степанова. ФТП, \bf 12, 75 (1978)
  • С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (M., Мир, 1984)
  • М.И. Неменов, Б.С. Рывкин, М.Н. Степанова. Письма в ЖТФ, \bf 10, 472 (1984)
  • A. Patrovi, A. Kost, E. Garmire, G. Valley, M. Klein. Appl. Phys. Lett., \bf 56, 12 (1990)
  • В.И. Корольков, В.Н. Красавин, С.И. Пономарев, Г.И. Цвилев. ФТП, \bf 19, 328 (1985)
  • А.В. Ильинский, А.Б. Куценко, М.Н. Степанова. ФТП, \bf 26, 710 (1992)
  • А.В. Ильинский, А.Б. Куценко. ФТП, 28, 48 (1994)
  • А.В. Ильинский, А.Б. Куценко, М.Б. Мельников. ФТП, \bf 28, 150 (1994)
  • В.Г. Никитин, И. Рагинска, Е.Р. Сеель, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков, Т.П. Федоренко. \it Тез. докл. III Всес. конф. "Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах" (Одесса, 1982) т. 3, с. 102
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.